FIB分析エンジニア|台湾大手/材料分析の需要増加にて収益過去最高を記録中!【名古屋/転勤なし】
- 勤務地
- 愛知県名古屋市名東区
- 給与
- 400万円~800万円※前職、経験、年齢を考慮の上、規定により決定致します。
- 雇用形態
- 正社員
■業務内容
半導体の材料・構造分析を行う同社にて、分析エンジニア職として、電子顕微鏡(FIB)を使用した半導体や電子材料の解析業務や顧客との打ち合わせ、立ち合い観察などの業務をお任せいたします。
半導体を利用する大手国内企業などに、受託分析設備を貸出し、立ち合い観察をしながら分析を行います。
■職務の特徴
◎FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)はイオン源としてガリウム(Ga)を使用し、金属や酸化物のスパッタリング、成膜、エッチングによるリソグラフィーを行うことができます。
◎FIBに用いられる金属イオン源(Ga)の蒸気圧は6.98×10-38Torrと低く、超高真空を含む様々な真空環境で用いられています。FIBではこのイオン源に強力な電場を加えて溶融させ、その形状をテイラーコーン形状に変化させます。その頂点はGaイオンビームを放出するのに十分な鋭さとなります。エネルギー分散が4.5eV、輝度が106A/cm2srのビームは、10nm以下の領域に集光することができます。
◎FIBシステムは、液体イオン源、集光レンズ、走査レンズ、移動ステージ、ガス導入システム(GIS)、信号検出器から構成されています。金属や酸化物のイオンスパッタリング、成膜、エッチングによるリソグラフィーが可能であり、MEMSにも最適なツールです。
事業内容・業種
半導体