- 正社員
- デジタル(マイコン・CPU)、アナログ(その他)、その他半導体、プロセス開発
- 500万円~950万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
- 08:15~17:15
仕事内容
パワーデバイス開発エンジニア(Si)の募集要項です。 パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 担当製品は面接を通して決定いたします。 ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。 ※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。 事業内容・業種 総合電機メーカー
応募資格
大学院卒、大卒 【必須】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気回路の理解 【歓迎】 ・使用回路(モーター・DCDCなど)の理解と実回路におけるMOSFETまたはダイオードの評価技術 ・回路におけるノイズ評価技術 ・自動車の電気部品に関する知識(作動原理、回路図等) ・ディスクリート市場の理解
給与
500万円~950万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
勤務時間
08:15~17:15
待遇・福利厚生
住宅手当,家族手当,通勤手当 健康保険,労災保険,厚生年金保険,団体生命保険,雇用保険 その他制度,社員持株会制度,財形貯蓄,資格取得奨励金制度,退職金
会社概要
- 会社名
勤務地・交通
住所
滋賀県大津市晴嵐2-8-1
住所備考
滋賀県 大津市 晴嵐2-8-1
提供元 :
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