将来性高い事業!パワー半導体デバイスの【評価・歩留まり改善】
- 正社員
- 評価・検査(精密・医療用機器系)
- 給与 【年俸制500万円〜】 月額基本給 416,666円〜 + 諸手当 ※年俸を1/12した額を毎月支給 ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、 当社規定により優遇いたします ※試用期間3ヶ月あり(待遇に変動はありません) ※退職金制度はありません 昇給・賞与 昇給:有 ※年俸制のため賞与無し
- <標準勤務時間帯> 9:00〜18:00 <労働時間区分> 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日:8時間00分 休憩時間:60分 時間外勤務:有
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- 給与 【年俸制500万円〜】 月額基本給 416,666円〜 + 諸手当 ※年俸を1/12した額を毎月支給 ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、 当社規定により優遇いたします ※試用期間3ヶ月あり(待遇に変動はありません) ※退職金制度はありません 昇給・賞与 昇給:有 ※年俸制のため賞与無し
- <標準勤務時間帯> 9:00〜18:00 <労働時間区分> 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日:8時間00分 休憩時間:60分 時間外勤務:有
仕事内容
高効率なエコデバイス実現のため、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。 製品仕様決定のための信頼性評価・歩留まり改善業務をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が 現在の主な取り組みテーマであり 新技術や新製品の早期の市場投入に向け デバイス試作(パッケージ/モジュール)を強化するための採用です。 また2022年からは「GaN Project」もスタートします。 応募方法 本求人はマイナビ転職の応募フォームでのみ受け付けます。 本求人は、株式会社マイナビが運営する 「マイナビ転職キャリアパートナー」による人材紹介案件です。 ※個人情報について「マイナビ転職キャリアパートナー個人情報の取り扱いについて」に同意いただき、 応募情報を開示することをご了承の上ご応募ください。 会社情報 代表者 代表取締役:呉 文景 事業内容 GaN・SiC・Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発 ※日本、台湾、アメリカなどのファウンドリメーカーや 各国のデザインエンジニアと連携し アプリケーションに最適な 各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。 本社所在地 〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2103・2203・2208
応募資格
※経験者採用※【必須】大学・高専・大学院卒 以上【必須資格】パワー半導体デバイス(Si SiC GaN )の設計、開発、製造経験がある方(年齢不問) 【必須】 大学・高専・大学院卒 以上 以下のいずれかのご経験をお持ちの方が対象となります。 パワー半導体デバイス(SBD DMOS トレンチMOS IGBT等)の チップ設計・開発の経験 ファウウンドリーでのデバイス試作経験 デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用経験 パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 【あれば歓迎するスキル】※必須ではありません。 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
給与
給与 【年俸制500万円〜】 月額基本給 416,666円〜 + 諸手当 ※年俸を1/12した額を毎月支給 ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、 当社規定により優遇いたします ※試用期間3ヶ月あり(待遇に変動はありません) ※退職金制度はありません 昇給・賞与 昇給:有 ※年俸制のため賞与無し
勤務時間
<標準勤務時間帯> 9:00〜18:00 <労働時間区分> 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日:8時間00分 休憩時間:60分 時間外勤務:有
待遇・福利厚生
各種社会保険完備,転職に伴う引越し費用負担(規定あり),年間休日120日,完全週休2日制(土日祝休み),年間有給休暇:10日〜20日, (下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります),年末年始休暇
会社概要
勤務地・交通
住所
京都府
住所備考
本社勤務 京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208号室 ※転勤はありません。
提供元 :
![マイナビ転職](/servicelogo/MYNAVI_SERVICE_TENSHOKU_YOKO_COLOR_VER2.gif)
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