正社員
将来性のある事業!パワー半導体デバイスの【試作エンジニア】
- 給与 【年俸制500万円〜】 月額基本給 416,666円〜 + 諸手当 ※年俸を1/12した額を毎月支給 ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、 当社規定により優遇いたします ※試用期間3ヶ月あり(待遇に変動はありません) ※退職金制度はありません 昇給・賞与 昇給:有 ※年俸制のため賞与無し
- 京都府
高効率なエコデバイス実現のため、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が
現在の主な取り組みテーマであり
新技術や新製品の早期の市場投入に向け
デバイス試作(パッケージ/モジュール)を強化するための採用です。
また2022年からは「GaN Project」もスタートし
各々のWide Band Gap材料による
特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行います。
応募方法
本求人はマイナビ転職の応募フォームでのみ受け付けます。
本求人は、株式会社マイナビが運営する
「マイナビ転職キャリアパートナー」による人材紹介案件です。
※個人情報について「マイナビ転職キャリアパートナー個人情報の取り扱いについて」に同意いただき、
応募情報を開示することをご了承の上ご応募ください。
会社情報
代表者
代表取締役:呉 文景
事業内容
GaN・SiC・Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発
※日本、台湾、アメリカなどのファウンドリメーカーや
各国のデザインエンジニアと連携し
アプリケーションに最適な
各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。
本社所在地
〒615-8245
京都府京都市西京区御陵大原1-39
京大桂ベンチャープラザ南館2103・2203・2208
提供元: