正社員
開発エンジニア|パワーデバイス開発エンジニア(プライム上場)【京都府京都市】
- 500万円~850万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
- 京都府京都市右京区
【職務内容】
・SiCパワーデバイス開発・設計
・SiCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション
SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。
※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。
事業内容・業種
総合電機メーカー