【業務内容】ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析・量産立上業務 ※対象デバイスは以下の通りになります。 ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール（兵庫県揖保郡太子町／石川県能美市） ②アイソレーションデバイス・半導体リレー（福岡県豊前市） ③パワーMOSFET（石川県能美市） ④小信号デバイス。特にMOSFET（兵庫県揖保郡太子町）　 ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC（神奈川県川崎市）　※（）内は想定勤務地【部門概要（半導体事業部）】・「ディスクリート半導体」とは、ダイオードやトランジスタのように単独の機能を持つ半導体素子のことです。当社のディスクリート半導体事業では、長年に亘り技術の蓄積があり、世界トップ3に入るレベルの製品をたくさん抱えています。・電力利用を高効率化するキーデバイスの開発を担っており、パワーデバイス、小信号デバイス、オプトデバイスの3つの製品群を柱として総合力を生かした幅広い製品を構成しています。家電からモバイル、IT、自動車、産業やエネルギー関連などの社会インフラに至るまで、あらゆる分野に必要な製品です。【半導体技術責任者からのメッセージ】・スペシャルインタビュー～あなたのキャリアが世界を変える～ https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html ・パワー半導体技術広告 https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ 事業内容・業種半導体

応募資格

学歴不問【必須要件】・デバイス設計／プロセス技術／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テストいずれかの経験がある方【歓迎要件】・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方・以下のディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方 ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール ②アイソレーションデバイス・半導体リレー ③パワーMOSFET ④小信号デバイス。特にMOSFET ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC ・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方

給与

450万円～1000万円※予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。

勤務時間

08:30～17:15

待遇・福利厚生

住宅手当,家族手当,残業手当,通勤手当健康保険,労災保険,厚生年金保険,雇用保険借り上げ社宅制度,厚生年金基金,確定拠出年金401k,社員寮（独身寮）,社員持株会制度,退職金

会社概要