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京都府アナログ回路設計電気・電子・機械（部品含む）の求人情報・お仕事一覧
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新着

正社員

電子プリント基板の実装｜工程管理（原則転勤なし）【京都府城陽市】

給与: 368万円～480万円想定年収
勤務地: 京都府城陽市

■職種電気/電子製造オペレーター/ラインマネージャー ■仕事の内容半導体検査装置や製造ロボットなど製造現場で使用される産業機器をオーダーメイドで開発~製造~販売する当社にて、基板実装および工程/品質管理の業務を行っていただきます。【主な業務内容】 ■プリント基板実装工程の実務および管理 ■手はんだ付け作業の工程や品質の管理 ■基板実装ライン(2ライン所有)の工程管理【キャリアパス】将来のリーダー候補としての採用のため、ゆくゆくは工程や品質、設備の管理や、契約社員の仕事の段取りなども行うリーダー職になって頂くイメージでの採用です。事業内容・業種機械部品

応用電機株式会社

提供元：

正社員

回路設計｜主任または係長クラス（原則転勤なし）【京都府京都市】

給与: 400万円～650万円（当社規定による）
勤務地: 京都府京都市下京区

【仕事内容】 ■新製品の企画立案、構築、システム設計、I/F構築 ■製品の電気回路設計 ■プリント基板のレイアウト設計 ■EMC試験等、各種評価及び対策 ■製品の量産立ち上げ確認 ■特注設計対応、設計変更対応【配属先情報】開発部事業内容・業種総合電機メーカー

オプテックス・エフエー株式会社

提供元：

正社員

開発エンジニア｜LSIメモリ開発エンジニア（不揮発性メモリ）（プライム上場）【京都府京都市】

給与: 500万円～8500万円
勤務地: 京都府京都市右京区

【仕事内容】 ■不揮発性メモリのアナログ回路設計と検証業務の振り分けは、開発するメモリによって分業と選任とを分けて行っています。規模の大きいメモリであれば、3～5名程度で業務を分担して分業で開発します。また、逆に設計から評価まで一人で行うこともあります。業務優先度、開発全体の作業量で進め方を決めています。【募集背景】 ■不揮発性メモリの開発案件が増加しており、開発体制を強化する為 175℃対応Flashメモリの開発や、次世代BCDプロセス向け大容量の不揮発メモリ開発などを進めていく人材を求めております。【就業環境】 ■リモートワーク：可(週2～3回程度) 事業内容・業種総合電機メーカー

ローム株式会社

提供元：

正社員

【京都】特許企画

給与: 500万円～800万円
勤務地: 京都府京都市右京区

■仕事内容特許調査・分析を通じて事業戦略と密接に連携した知財戦略の立案および実行。 ■本ポジションの魅力発明を権利化する業務ではなく、発明を創出できる土壌作りなので受け身の仕事ではなく、様々な人と積極的に関わって行くので幅広い知見を身に着けることができる。 ■キャリアステップアップイメージ重点分野における知財活動リーダー（係長）→分野統括責任者（課長）事業内容・業種総合電機メーカー

ローム株式会社

提供元：

正社員

開発エンジニア｜パワーデバイス開発エンジニア（プライム上場）【京都府京都市】

給与: 500万円～950万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
勤務地: 京都府京都市右京区

【職務内容】パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。担当製品は面接を通して決定いたします。事業内容・業種総合電機メーカー

ローム株式会社

提供元：

正社員

研究・開発｜ミリ波通信モジュールの開発（プライム上場）【京都府長岡京市】

給与: 400万円～900万円
勤務地: 京都府長岡京市

■5GやWiGig向けのミリ波通信モジュールの商品開発を行っていただきます。 ■詳細・ミリ波通信用トランシーバICを使用したアレーアンテナ一体型モジュールの設計・開発・ミリ波評価の実施、評価結果の検証・社内関連部門（工法、計測、工場等）との商品化に向けた協業・顧客やICベンダー（国内・海外）との協業・報告 ★連携地域…アメリカ、イスラエル、韓国、中国等（World wide） ★使用ツール…電子計測機器（ネットワークアナライザ、スペクトラムアナライザ、無線テスター等）、回路解析ソフト（ADS)や電磁界解析ソフト(ANSYS HFSS) ■働き方特徴(出張頻度や勤務形態など) 1回/月くらいの本社関連部門や工場など。顧客やICサプライヤーへの出張も必要に応じて有り。weekly～monthlyで顧客との定例ミーティングを行い、協議しながら商品開発を進める。【携わる商品】ミリ波の5GモジュールやWiGigモジュールなど事業内容・業種総合電機メーカー

株式会社村田製作所

提供元：

その他

【京都】デバイスエンジニア（小信号トランジスタ・ダイオード）

給与: 450万円～800万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
勤務地: 京都府京都市右京区

【職務内容】・今後伸長が見込める車載通信向けTVSの開発・ウェアラブルやヘルスケアでの需要が見込めるフォトダイオードの素子開発顧客ヒアリングから要件整理～設計・開発～材料の選定検討～製造ラインとの調整～出荷、まで業務の幅は非常に広いです。製品毎に担当頂き、設計から出荷に至るところまで一連の業務をご担当頂きます。社内を含めお客様との打ち合わせも多いポジションです。事業内容・業種総合電機メーカー

ローム株式会社

提供元：

正社員

開発エンジニア｜パワーデバイス開発エンジニア（プライム上場）【京都府京都市】

給与: 500万円～850万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
勤務地: 京都府京都市右京区

【職務内容】・SｉCパワーデバイス開発・設計・SｉCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。 ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。 ※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。事業内容・業種総合電機メーカー

ローム株式会社

提供元：

その他

開発エンジニア｜GaNパワーデバイス・プロセス開発エンジニア（プライム上場）【京都府京都市】

給与: 500万円～850万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
勤務地: 京都府京都市右京区

【業務について】 ■GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務　信頼性/歩留まり改善業務 ■Foundry開発【募集背景】 ■GaNデバイス量産体制構築、開発体制強化量産化に向けて、工場への技術移管を進めていくリーダー人財を求めております。＜GaNパワーデバイスとは＞ GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。 ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。 ※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。事業内容・業種総合電機メーカー

ローム株式会社

提供元：

正社員

回路設計｜アナログLSI（プライム上場）【京都府京都市】

給与: 500万円～850万円経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。
勤務地: 京都府京都市右京区

【職務内容】　アナログLSI回路設計エンジニア：LSI仕様設計、回路設計、Simulation、評価、テスト開発【技術領域】　車載向け汎用LSI、ADC LSI、車載ゲートドライバLSI、車載向け電源LSI、モータードライバLSIなどご経験に応じて、担当製品を決定致します。事業内容・業種総合電機メーカー

ローム株式会社

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京都府 アナログ回路設計 電気・電子・機械（部品含む）の求人情報・お仕事一覧10 件

電子プリント基板の実装｜工程管理（原則転勤なし）【京都府城陽市】

回路設計｜主任または係長クラス（原則転勤なし）【京都府京都市】

開発エンジニア｜LSIメモリ開発エンジニア（不揮発性メモリ）（プライム上場）【京都府京都市】

【京都】特許企画

開発エンジニア｜パワーデバイス開発エンジニア（プライム上場）【京都府京都市】

研究・開発｜ミリ波通信モジュールの開発（プライム上場）【京都府長岡京市】

【京都】デバイスエンジニア（小信号トランジスタ・ダイオード）

開発エンジニア｜パワーデバイス開発エンジニア（プライム上場）【京都府京都市】

開発エンジニア｜GaNパワーデバイス・プロセス開発エンジニア（プライム上場）【京都府京都市】

回路設計｜アナログLSI（プライム上場）【京都府京都市】

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